Dataintelo가 최근 발표한 보고서는 글로벌 IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터) 및 MOSFET(금속 산화물 전계 효과 트랜지스터) 시장의 유망한 성장을 표현합니다. 2023년에 121억 달러 규모였던 시장은 2032년까지 286억 달러에 달하는 큰 도약을 경험할 것으로 예상됩니다. 이러한 확장은 주로 확장으로 인해 2024~2032년 동안 연평균 성장률(CAGR) 10.04%를 나타냅니다. 다양한 산업 분야에서 이러한 장치를 사용합니다.
높은 효율성과 빠른 스위칭 특성으로 유명한 IGBT 및 MOSFET은 전자 및 전력 산업에서 점점 더 필수적인 요소가 되고 있습니다. 전원 공급 장치, 인버터, 모터 드라이브 등 다양한 애플리케이션에 광범위하게 사용되는 이러한 반도체 장치는 전 세계적으로 기술 분야의 발전을 주도하고 있습니다.
최근 몇 년 동안 이러한 부품에 대한 수요가 눈에 띄게 급증했습니다. 가전제품부터 재생 에너지 시스템까지 다양한 부문에서 에너지 효율적인 솔루션으로의 전환은 이러한 수요 증가의 중요한 원동력입니다. 이러한 장치에 대한 의존도가 급증함에 따라 향후 몇 년 동안 IGBT 및 MOSFET 시장이 크게 성장할 것이라는 기대가 강조됩니다.
Dataintelo의 보고서는 다가오는 시장 동향, 새로운 기회, 글로벌 IGBT 및 MOSFET 시장의 전반적인 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 이는 전 세계 전자 및 전력 산업의 혁신, 지속 가능성 및 에너지 효율성이라는 광범위한 추세를 반영하여 이러한 반도체 장치의 강력한 미래를 제시합니다.
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이는 가장 상세한 보고서 중 하나이며 다음 세그먼트를 다룹니다.
절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 및 금속 산화물 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 시장은 다음을 기준으로 분류되었습니다.
유형
● 이산형 IGBT
● IGBT 모듈
● 개별 MOSFET
● MOSFET 모듈
● 에너지 및 전력
애플리케이션
● 가전제품
● 인버터 및 UPS
● 전기차
● 산업시스템
● 그리드 인프라
● 재생에너지
● 교통
● 기타
지역
● 아시아 태평양
● 북미
● 라틴 아메리카
● 유럽
● 중동 및 아프리카
주요 선수
● ABB 주식회사
● 페어차일드 세미컨덕터 인터내셔널(Fairchild Semiconductor International Inc)
● Hitachi Power Semiconductor Device Ltd.
● 인피니언 테크놀로지스 AG
● 미쓰비시전기(주)
● ST마이크로일렉트로닉스
● 도시바 주식회사
세그먼트 분석
IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터) 및 MOSFET(금속 산화물 전계 효과 트랜지스터)의 글로벌 시장은 유형 및 응용 분야에 따라 광범위하게 분류되었습니다. 유형 부문에서 시장은 이산형 IGBT, IGBT 모듈, 이산형 MOSFET, MOSFET 모듈 및 에너지 및 전력으로 구분됩니다. 높은 전력 효율과 작은 크기로 인해 IGBT 및 MOSFET 모듈에 대한 수요가 증가하고 있으며, 이로 인해 여러 전력 전자 장치에서 널리 사용되는 것으로 나타났습니다. 시장은 또한 가전제품, 인버터 및 UPS, 전기 자동차, 산업 시스템, 그리드 인프라, 재생 에너지, 운송 등을 포함한 애플리케이션을 기반으로 광범위하게 분류됩니다. 소비자 가전 및 전기 자동차 부문에서 지속 가능하고 에너지 효율적인 제품에 대한 수요 증가는 전 세계적으로 IGBT 및 MOSFET 시장의 성장을 촉진할 것으로 예상됩니다.
지역분석
지리적 측면에서 IGBT 및 MOSFET 시장은 주로 아시아 태평양, 북미, 라틴 아메리카, 유럽, 중동 및 아프리카로 구분됩니다. 아시아 태평양 지역은 급속한 도시화, 산업화, 가전제품 및 전기 자동차의 전력 반도체 소비 증가로 인해 시장을 지배할 것으로 예상됩니다. 북미와 유럽 역시 에너지 효율적인 장치에 대한 수요 증가와 산업 인프라 구축으로 인해 세계 시장에서 상당한 점유율을 차지하고 있습니다. 라틴 아메리카와 중동 및 아프리카는 재생 가능 에너지 솔루션에 대한 수요 증가로 인해 향후 몇 년 동안 상당한 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 다양한 지역에 걸쳐 ABB Ltd, Fairchild Semiconductor International Inc, Hitachi Power Semiconductor Device Ltd, Infineon Technologies AG, Mitsubishi Electric Corporation, STMicroelectronics, TOSHIBA CORPORATION과 같은 주요 업체의 존재도 시장 개발에서 중추적인 역할을 합니다.
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IGBT 및 MOSFET 시장 동인:
1. 에너지 효율성에 대한 수요 증가: 에너지 보존에 대한 인식이 높아짐에 따라 제조업체는 전력 효율성을 향상하고 지속 가능성을 향상시키기 때문에 IGBT 및 MOSFET을 제품에 사용하는 경향이 더 커졌습니다.
2. 전기 자동차에서의 사용 증가: IGBT 및 MOSFET은 전기 자동차 생산에 광범위하게 사용되며 EV 기술의 필수 부분인 고전력 스위칭 기능을 제공합니다. 전기 자동차에 대한 수요 급증은 이러한 트랜지스터 시장을 촉진하고 있습니다.
3. 기술 발전: 지속적인 기술 업그레이드와 전력 장치의 소형화가 시장 성장을 주도하고 있습니다.
4. 가전제품의 높은 수요: 이 트랜지스터는 에너지 효율을 높이는 능력으로 인해 노트북, 스마트폰, 냉장고, TV 등을 포함한 다양한 가전제품에 사용됩니다. 따라서 가전제품 부문의 높은 수요가 시장 성장을 촉진하고 있습니다.
5. 산업 부문 성장: 송전, 재생 에너지, 드라이브 및 인버터와 같은 산업 애플리케이션도 시장 성장에 기여하고 있습니다.
IGBT 및 MOSFET에 대한 기회:
1. 재생 에너지 부문: 재생 에너지 부문, 특히 태양광 및 풍력 에너지는 IGBT 및 MOSFET 시장에 막대한 기회를 제공합니다. 이러한 트랜지스터는 태양광 및 풍력 에너지 시스템의 전력 변환기 및 인버터의 필수 구성 요소입니다.
2. 전력 전자 장치의 성장: 전력 전자 장치에 대한 수요 증가는 IGBT 및 MOSFET 제조업체에게 광범위한 기회를 제공합니다.
3. 서버 팜/데이터 센터에 대한 수요 증가: 기업이 점차 클라우드 컴퓨팅으로 전환함에 따라 서버 팜/데이터 센터에 대한 수요가 급증하여 전력 효율성 향상을 위해 이러한 트랜지스터가 사용되는 IGBT 및 MOSFET 시장에 도움이 될 것으로 예상됩니다.
4. 스마트 그리드의 부상: IGBT와 MOSFET은 에너지 저장, 전기 자동차, 재생 가능 자원 통합을 위한 스마트 그리드에 사용되어 상당한 시장 기회를 제공합니다.
5. 신흥 시장: 개발도상국과 신흥 시장은 특히 인프라 개발, 산업화 증가, 가전제품 사용 증가로 인해 엄청난 성장 기회를 제공합니다.
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문의하기 :
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전화번호: +1 909 414 1393
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